我在计算与双向隔离双有源桥DC/DC变换器操作相关的功率损耗时遇到了问题。该转换器采用相移调制(PSM)控制。转换器如下所示。每个电桥上有4个“开关”(这里的开关是指MOSFET、反并联二极管和电容器的并联组合)。
切换周期可以分为4个主要间隔，不考虑这些间隔之间的转换。在这4个间隔中，每个桥上都有两个MOSFET导电。在间隔之间的转换过程中，某些电容器和二极管也导通。为了说明这背后的逻辑，提供了下面的图表和表格。注意:电路图是不完整的，但是，省略的其余电路的趋势与所给的电路图相同。
开关循环电路图:
区间电流电压:
好的，我的目标是计算在一个开关周期内转换器的功率损耗。我的目标是我的总损耗数字，包括核心损耗，二极管和MOSFET的传导损耗和开关损耗。在开关方面，零电压开关在一定条件下可以发生，在这种情况下，开关问题的开关损耗将为零。
现在我的问题是:
上面的电流和电压图只显示了MOSFET传导的周期。在这种理想的情况下，我理解传导损耗将简单地是RMS电流的平方由MOSFET的电阻所讨论。然而，我的问题涉及到二极管和电容器在间隔之间的过渡期间进行的一段时间。为了计算二极管中的传导损失，我需要确定这个时间段。
有人能解释一下如何计算这些瞬态期间设备的损耗吗?
